iPhone 6 Plus 争议不绝，虽然靠着 5.5 吋大萤幕抢占大芒手机市场，赢尽得用家欢心。但一直以来的质量问题，却带予用家无限的苦恼。最近继机身屈曲问题外，再爆出另一硬件问题，甚至有机会需回收 iPhone 6 Plus，而最新出事的，则来自快闪记忆体。

早前就有报导指出，当 128GB 版 iPhone 6 Plus 安装超过 700 个 Apps 後，系统将出现不断重开机的问题，即使升级至 iOS 8.1 亦无法解决问题。以上问题或者跟 iPhone 6 Plus 改用更便宜的 TLC NAND Flash 三阶储存单元有关。

以往 iPhone 多数使用较稳定但也更昂贵的多阶储存单元 (MLC) NAND Flash，而 TLC NAND Flash 则曾经在部分 iPad 上使用。

不过 Apple 为了缩减成本，今年就首次於 iPhone – 主要是大容量的128GB iPhone 6 Plus 上改用 TLC NAND Flash。TLC 成本较便宜，而且容量也比单阶储存单元 (SLC) 及多阶储存单元（MLC）多出两至三倍，但问题是 TLC 读写速度较慢，而分析人士就指出问题或出於 TLC NAND Flash 的控制 IC 之上。

如果最终问题确认出现於 TLC NAND Flash 的话，Apple 或需全面召回已出售的 iPhone 6 Plus，对於 Apple 来讲可说是另一重大打击。